該 VF526DT 雙極鎖存、雙霍爾效應數(shù)字式位置傳感器配備兩個霍爾感應元件，位于距單集成電路芯片 1,4 mm [0.055 in] 處。元件被封裝在熱固性成型材料中。

兩個主動式的鎖存式霍爾傳感器指示出越過封裝表面的磁場梯度的速度和方向，如旋轉(zhuǎn)環(huán)形磁鐵的梯度。

小巧的 4 針 SOT-89B 式封裝，可在印刷電路板上和柔性電路中進行表面安裝。VF526DT 內(nèi)置溫度補償旨在用于匹配溫度系數(shù)，其適用于可靠、低成本和傳感磁性要求應用。

獨特的穩(wěn)壓電路可提供極其穩(wěn)定的電源電壓，范圍3.4 Vdc 至 24 Vdc。該電路可直接與多種電子元件接入，無需緩沖或補償電路。